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    样片申请 | 简体中文
    SiLM27511H
    单通道 20V, 4A/5A 高欠压保（bǎo）护低边门（mén）极驱动器（qì）
    样（yàng）片申请
    SiLM27511H Datasheet SiLM27511H-AQ Datasheet SiLM27511HCJ-AQ Datasheet
    产品概（gài）述
    产品特性
    安规认证
    典型应用（yòng）图
    产品概述

    SiLM27511H系列是单通道高（gāo）欠压保护（hù）低（dī）边门极驱（qū）动器，可有效（xiào）驱动MOSFET和IGBT等功率开（kāi）关。SiLM27511H 采用（yòng）一种（zhǒng）能够从内部极大的降（jiàng）低直通电流（liú）的设计（jì），将高（gāo）峰值的源电流和灌电流脉冲提供给电容负载，以实（shí）现轨到（dào）轨的驱动能力和典型值仅为 18ns 的极小传播延迟。

    SiLM27511H 在（zài） 15V 的 VDD 供电情况下，能够提供 4A 的峰值（zhí）源（yuán）电（diàn）流和 5A 的峰值灌电流。SiLM27511H 欠（qiàn）压锁定保护（hù） (UVLO)12.5/11.5V。


    产品特性（xìng）

    低成本的（de）门极驱动方案可用（yòng）于替代 NPN和 PNP 分离（lí）器件方案

    4A的峰值源（yuán）电流和 5A 的峰值灌电（diàn）流（liú）能力

    快（kuài）速的（de）传播延时（典型（xíng）值为 18ns）

    快（kuài）速的上升和下降时间（典（diǎn）型（xíng）值为 9ns/6ns）

    13.5V 到 20V 的单电源范围

    SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

    兼容 TTL 和 CMOS 的输（shū）入逻辑电压阈值

    双输（shū）入（rù）设（shè）计(可选择反相或（huò）非反相驱动（dòng）配置)

    输入浮空时输出保持为低（dī）

    工（gōng）作（zuò）温度范围为 -40°C 到 140°C

    SiLM27511H 提供（gòng） SOT23-6 的封装选项

    安规认证
    典型应（yīng）用图

    27511H.png

    产品参（cān）数表

    展开过（guò）滤器
    Part Number Power Switch IOH/IOL(A) Input VCC (V) Prop. Delay（ns） Tr/Tf Typ. (ns) Operating Temp（℃） Package Group Packing/QTY
    SiLM27511HAC-7GIGBT/MOSFET4.0/5.013.5-2018/189/6-40 ~ 125SOT23-6Reel/3000
    SiLM27511HCJ-AQIGBT/MOSFET4.0/5.013.5-2018/189/6-40 ~ 125SOP14Reel/2500
    应用案例（lì）

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